LabOSat (Laboratory-On-A-Satellite) es una línea de investigación y desarrollo cuyo objetivo es el diseño y fabricación de cargas útiles (payloads) que permitan llevar adelante misiones satelitales. Entre 2014 y la actualidad, hemos puesto en órbita siete placas electrónicas llamadas LabOSat-01 en sendos satélites. Mediante esta placa, la cual conforma una plataforma compacta de medición que emula equipamiento de banco, caracterizamos los dispositivos fabricados por nuestro grupo y grupos colaboradores.
Más información:
labosat.unsam.edu.ar
CMOS es la tecnología más popular empleada para la fabricación de circuitos integrados actuales, tales como microprocesadores, microcontroladores, sensores de imágen, etc. Las memorias basadas en tecnología CMOS son altamente sensibles en ambientes hostiles, siendo afectadas por radiación ionizante y altas temperaturas. Por otro lado, las memorias no volátiles del tipo ReRAM desarrolladas por nuestro grupo en el proyecto MeMO son robustas frente a estas condiciones adversas. La integración CMOS-ReRAM posibilita sumar las ventajas de ambas tecnologías para desarrollar unidades de memoria integradas robustas y compatibles con los estándares digitales actuales.
Implementación de fotomultiplicadores de silicio (SiPMs) en aplicaciones espaciales en órbita Los fotomultiplicadores de silicio (SiPMs, por Silicon PhotoMultipliers) son dispositivos opto- electrónicos novedosos de tecnología de estado sólido. Su alta eficiencia de detección permite registrar fotones únicos y en forma extremadamente rápida. Como parte de los experimentos de LabOSat, estudiamos el comportamiento de los SiPMs en órbita para su posterior uso, tanto para realizar experimentos científicos básicos como para aplicaciones tecnológicas en el espacio.
El objetivo general es el establecimiento e implementación de tecnologías para la deposición, crecimiento y procesamiento de semiconductores basados en nitruro de galio (GaN). Estudiamos las condiciones óptimas para la deposición y crecimiento de películas altamente dopadas, a nivel teórico y práctico. Así mismo, investigamos sobre las propiedades ópticas y eléctricas de las películas de GaN que fabricamos, de diferente espesores y nivel de dopaje, depositadas crecidas a diferentes temperaturas de substrato, presión de cámara y niveles de campo eléctrico, entre otros parámetros. En este proyecto, estamos desarrollando un sistema magnetrón sputtering especialmente dedicado a la deposición de películas dopadas de GaN y N-III.
Proyectos concluidos.
MeMO es un proyecto de investigación básica sobre propiedades eléctricas de materiales y su posible aplicación en dispositivos. En este proyecto estudiamos óxidos multifuncionales como candidatos para la obtención de memorias no volátiles. Debido al mecanismo de funcionamiento (Resistive Switching), estas memorias reciben el nombre de ReRAM. Se estudian materiales binarios, manganitas y cupratos.
El proyecto MeMOSat consiste en la implementación de memorias ReRAM en aplicaciones satelitales. En este proyecto caracterizamos el desempeño de las mismas a bordo de satélites en Órbitas Bajas de la Tierra (LEO, Low Earth Orbits)
